《半導體》Q1營運谷底 華邦電衝8個月高價

《半導體》Q1營運谷底 華邦電衝8個月高價

華邦電受產業短期逆風,三大法人週一聯手賣超,外資更已連2日賣超9585張,不過週二股價震盪,盤中一度翻紅,衝上24.1元之去年6月22日以來的8個月新高價,2023年累積漲幅達22.95%。

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利基型DRAM和NOR Flash庫存修正,價量皆下滑,華邦電去年第四季合併營收爲142.24億元,季減13.19%,華邦電DRAM在去年下半年轉差,去年第四季DRAM營收佔全公司營收比重從去年第三季的40%減至35%,其中25nm佔DRAM營收56%。去年第四季合併毛利率下滑至37.46%,減少8.09個百分點,主要來自記憶體減產30%,致記憶體的毛利率從去年第三季的48%大幅下滑至33%。去年第四季合併稅後EPS爲0.14元。華邦電2022年稅後EPS達3.25元。

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雖然景氣不佳,但華邦電計劃往更高階製程轉進,且每一個產品線要在一線客戶的滲透率拉高,有助產品單價以及獲利表現。DRAM產品部份,25S nm技術爲2023年的重點,Flash則是轉爲46nm,持續優化產品組合與客戶組成,提升毛利率。

產業長期來看,穿載裝置、網通WiFi6/7、物聯網、車用、遠端應用、工業加速數位轉型及美國啓動基建,都將搭載更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各記憶體廠減產下,報價都尚未止穩,短期虧損壓力大。

華邦電2022年資本支出408億元,年增339.09%,2022年高雄廠機臺拉入驗證後,使資本支出增加較明顯。華邦電高雄新廠去年1月開始裝機,導入25S nm製程,去年第四季小量投片,設計月產能10.5K片。2023年資本支出預估爲121億元,年減70.34%,大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新制程研發等支出。

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華邦電高雄路竹新廠去年第四季開始投片,設備產能建置每月10.5K片,採用25S nm製程生產DRAM,部份產能則用於進行20nm DRAM製程研發,25S nm目前成本較高,因爲設備和廠房都是新的,稼動率不佳,毛利率恐將轉負。

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